納米填料對聚合物擊穿電壓性能的影響

納米填料對聚合物擊穿電壓性能的影響：

納米填料對聚合物擊穿性能的影響擊穿性能是電介質材料最基本的要求?提高材料的電氣強度是電介質研究最為重要的任務之一。納米粒子中的雜質離子可造成聚合物的內部缺陷?而缺陷數量對聚合物擊穿場強有顯著影響。因此?納米氧化物對聚合物擊穿性能影響與納米粒子的填充量有關?當納米顆粒填充量小于某個含量時?擊穿場強隨著納米顆粒的填充量的增大而升高?一方面因空間電荷在材料內部的重新分布造成電場均化?另一方面是聚合物自由體積減小所致;當納米顆粒填充量增大到一定程度時?復合材料擊穿場強迅速下降。YangC等通過分析材料擊穿的威布爾曲線發現?在納米氧化鋁和納米氧化硅含量為10％以下時?聚酰亞胺的擊穿強度隨著填料含量的增加而提高。樊友兵=等人對PI／納米TiO2復合材料薄膜的擊穿強度進行了研究?發現當納米TiO2填充量小于2％時?擊穿場強隨著納米TiO2填充量的增大而略有升高?當納米TiO2填充量大于2％時?材料的擊穿場強隨著納米TiO2填充量的增大而迅速降低。

納米金屬粒子不僅占有一部分自由體積和大尺的陷阱?對加速電子的散射干擾?以及合適比例的陷阱數量?可能是納米金屬粒子提高聚合物擊穿強度的更充分的原因。FengJQ和XuM等研究了納米金屬粒子對擊穿強度的影響?結果表明納米金屬粒子在1％左右時?擊穿強度最高。作者用納米金屬粒子構成的庫侖阻塞網絡模型解釋了這種復合材料的特性?納米金屬粒子在介觀領域的庫侖阻塞效應?應該是與其對電子加速的散射作用相符。